特朗普气到跳脚!。 荷兰巨头接连公布三大巨头, 外媒: 除了中国别无选、择
哈工大一支平均年龄31岁的年轻团队,凭借创新精神,成功研发出了“放电等离子体极紫外光刻光源”。
这项技术的出现,不仅让国内的光刻技术取得了突破,更是填补了我们国家在这一领域的技术空白,绕过了长期以来困扰我们的全球领先企业,ASML的技术壁垒。
芯片是现代科技的核心,几乎所有的电子产品都离不开它。要生产更先进的芯片,就需要用到一种叫做EUV光刻技术。这项技术能让芯片更小、更强大,同时还降低成本。哈工大的这项技术突破,正是解决了这一光源的“瓶颈”。它通过“放电等离子体”的方式,成功研发出可以提供中心波长为13.5纳米的极紫外光。哈工大的技术有什么特别之处呢?它基于“放电等离子体”的原理,这让它在效率和成本上都拥有巨大的优势。相比于传统技术,这种技术不仅能大幅提高能量转换效率,还能减少生产成本。最重要的是,它体积小、结构简单,成为未来芯片制造的一大杀手锏。EUV光刻机在全球市场上可不是便宜货,它的高昂价格,限制了很多企业特别是国内企业的参与。而哈工大技术的突破,很可能会让这一局面得到改变,EUV光刻机的成本有望大幅降低。更重要的是,哈工大的技术有望在5纳米及以下的芯片生产中,降低成本约30%。这对于想要在全球市场上与台积电、三星等巨头竞争的国内企业来说,是一个巨大的机会。
说到台积电,它可是全球最大的芯片代工厂,尤其在5纳米芯片的生产上,掌握着近乎垄断的市场份额。根据目前的预测,未来3到5年,台积电在5纳米及以下芯片市场的占有率可能会降到50%以下。对于华为、长江存储等国内科技企业来说,哈工大的技术突破无疑是一个令人振奋的消息。曾几何时,这些企业因缺乏EUV光刻机技术而面临巨大的发展瓶颈,尤其在3纳米甚至更先进芯片的研发上,受到了一定的限制。哈工大的技术突破为这些企业提供了新的希望。华为等企业可以在不依赖进口设备的情况下,开发更先进的芯片产品,提升技术实力,减少对外部技术的依赖。虽然哈工大的技术突破让我们看到了希望,但要知道,光源技术只是EUV光刻机研发的“第一块拼图”。要想真正实现自主研发的EUV光刻机,还需要解决很多其他核心问题。比如,光刻机的微缩投影光学系统、双工件台技术等,都是技术的关键环节。虽然我们国家在这些领域也取得了一定的进展,但距离完全自主生产出高性能的EUV光刻机,还有一定距离。这条路还很长,挑战重重。不过,凭借着哈工大的这项技术突破,国内企业的研发势头将更加强劲,我们有理由相信,未来在全球芯片市场中,我们将能够占有一席之地。
(内容来源:新京报评论)
作者: 编辑:张慧敏
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